삼성전자, 1TB 마이크로SD카드‧36GB 초고속 메모리 발표

삼성전자가 800MB/sec로 데이터를 전송할 수 있는 SD익스프레스(SD Express) 규격 마이크로SD 카드를 2월 28일 발표했다. 아울러 삼성전자 적층 NAND 기술인 V-NAND를 채택한 용량 1TB짜리 마이크로SD 카드도 발표했다.

SD익스프레스 규격은 최대 985MB/sec 통신이 가능한 데이터 전송 규격이지만 현재 SD익스프레스 규격 마이크로SD 카드는 양산되고 있지 않다. 삼성전자가 발표한 마이크로SD 카드는 업계 첫 SD익스프레스 규격 대응 마이크로SD 카드로 최대 읽기 속도가 800MB/sec에 달하고 있다. 삼성전자는 이번에 발표한 마이크로SD 카드에 대해 최대 전송 속도가 560MB/sec인 SATA SSD에 비해 1.4배 고속이라고 설명하고 있다.

삼성전자는 또 UHS-I 규격 용량 1TB 마이크로SD 카드도 발표하고 있다. 용량 1TB인 마이크로SD 카드에는 삼성전자 8세대 V-NAND 기술이 사용되어 깊이 1m 바닷물에서 72시간 견딜 수 있고 영하 40도 저온에서 85도 고온까지 동작 가능, 공항 수하물 검사 수준 엑스선이나 MRI와 동등한 자장에 견디는 최대 5m로부터의 낙하에 견딜 수 있다고 한다.

또 SD익스프레스 규격 대응 마이크로SD 카드는 용량 256GB 모델이 2024년 후반 출하 개시 예정이며 용량 1TB 마이크로SD 카드는 2024년 3분기 출하 시작 예정이다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.

삼성전자는 또 용량 36GB에 최대 1280GB/sec로 데이터 전송이 가능한 적층 메모리인 HBM3E 12H를 발표했다. HBM은 초고속 데이터 전송이 가능한 적층 메모리로 AI 연구 개발 등 대량 데이터를 고속으로 전송할 필요가 있는 분야에서 활용되고 있다. 예를 들면 엔비디아가 개발한 생성형 AI용 슈퍼컴퓨터 DGX GH200에는 HBM3이 채택되고 있으며 AMD 기계학습 특화 칩(Instinct MI300X)도 메모리로 HBM3을 채용하고 있다.

삼성전자가 발표한 HBM3E 12H는 12층 적층 메모리로 용량은 36GB, 전송 속도는 1280GB/sec에 이른다. 삼성전자는 8층 HBM3에 비해 용량과 전송 속도 모두 50% 성능이 향상됐다고 밝히고 있다.

HBM3E 12H는 TC NCF를 이용해 제조된다. 이 때문에 12층 구조이면서 8층 HBM과 동등한 부피에 맞게 기존 패키지 요건을 그대로 충족할 수 있다. 삼성전자 시뮬레이션에선 HBM3E 12H를 채용한 시스템은 8층 HBM3을 채용한 시스템에 비해 기계학습이 34% 빨라지고 동시에 제공할 수 있는 추론 서비스 수가 11.5배 이상으로 확대된다고 추정되고 있다. 이 제품은 이미 샘플 출하가 시작된 상태이며 2024년 전반 양산 시작 예정이다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.