이원영 기자
EUV 노광장비는 첨단 반도체 제조에 필수불가결한 장비로 네덜란드 기업 ASML이 큰 점유율을 차지하고 있다. 새롭게 러시아가 ASML에 의존하지 않는 독자적인 EUV 노광장비 개발 계획을 수립했다. 계획에서는 ASML과는 다른 구조의 EUV 노광장비 개발이 예상되며 장비 외에도 반도체 제조 도구의 전면 교체가 필요하다고 한다.
ASML EUV 노광장비는 13.5nm라는 매우 짧은 파장 자외선을 조사할 수 있다. 러시아는 11.2nm라는 더 짧은 파장의 자외선을 다루는 걸 목표로 하고 있으며 짧은 파장으로 제조 비용과 운영 비용을 절감할 수 있을 것으로 기대되고 있다.
EUV 노광장비 개발 계획은 3단계로 나뉘어져 있으며 제1단계: 기초 연구 및 필요한 기술 파악, 제2단계: 200mm 웨이퍼를 시간당 60장 처리할 수 있는 시제품 제작, 제3단계: 300mm 웨이퍼를 시간당 60장 처리할 수 있는 양산 대응 제품 제작이라는 순서로 개발이 진행될 예정이다.
첨단 반도체 분야에서는 ASML의 13.5nm라는 파장에 맞춰 설계 도구와 각종 주변 설비가 구축되어 있다. 이로 인해 러시아의 파장 11.2nm EUV 노광장비를 사용해 반도체를 제조하려면 제조 생태계 전체 쇄신이 필요하게 된다. 러시아는 EUV 노광장비 개발에 걸리는 기간을 명시하지 않았지만 보도에선 생태계 쇄신도 필요하게 되는 걸 고려하면 수년에서 10년 정도 기간이 걸릴 것이라고 지적하고 있다.
한편 중국도 ASML 등에 의존하지 않는 반도체 제조 생태계 구축을 추진하고 있으며 2024년 4월에는 중국 정부가 반도체 산업에 70조 원이 넘는 투자를 하고 있다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.
정용환 기자
이석원 기자
