이석원 기자
SK하이닉스가 업계에서 처음으로 16층 HBM3E 제품을 공개했다. 이르면 2025년 초 샘플이 제공될 예정이다.
SK하이닉스는 지난 9월 세계에서 처음으로 12층 HBM3E 제품 대량 생산에 돌입했다고 발표한 바 있다. HBM3E는 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory: HBM) 버전으로 SK하이닉스 외에도 삼성과 마이크론이 취급하고 있다.
SK하이닉스가 새롭게 발표한 제품은 스택당 48GB 그러니까 다이 1개당 3GB 용량을 자랑하는 16층 HBM3E 규격 대응 제품이다. 12층 HBM3E와 마찬가지로 AI용으로 추론 성능은 12층 HBM3E에 비해 32% 향상됐고 학습 성능은 18% 향상됐다고 한다. SK하이닉스는 16층 HBM3E 제품 샘플을 2025년 초까지 제공할 예정이다.
한편 SK하이닉스는 이미 HBM4 양산을 위해 TSMC와 협력하고 있으며 2026년 출하를 시작할 예정이라고 밝혔다. 엔비디아도 2025년 4분기 HBM4를 기반으로 한 루빈(Rubin) 플랫폼을 출시할 예정이어서 보도에선 HBM4를 향해 시장이 움직이기 시작했으며 SK하이닉스 16층 HBM3E는 단명으로 끝날 가능성이 있다고 지적했다.
메모리 뿐 아니라 SK하이닉스는 PCIe 6.0 SSD와 AI 서버용 QLC 기반 대용량 eSSD, 모바일 디바이스용 UFS 5.0에도 적극적으로 나서고 있다고 한다. 더불어 노트북과 핸드헬드 기기에 전력을 공급하기 위한 LPDDR5/6 메모리를 개발하고 있다고 밝혔다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.
이원영 기자
정용환 기자
