인텔, 고NA EUV 리소그래피 조립 완료했다

인텔이 지난 4월 18일 오레곤주 힐즈버러 연구개발 거점에서 업계 첫 상용 고개구수(NA) EUV 리소그래피 조립을 완료했다고 발표했다. 이 EUV 리소그래피는 네덜란드 반도체 장비 기업인 ASML 제품으로 1.4nm 제조공정에 해당하는 14A 프로세스 노드 반도체 제조를 위한 중요한 한 걸음으로 지목되고 있다.

인텔은 첨단 칩 제조 분야에서 TSMC와 삼성전자에 뒤처져 있지만 2021년 CEO 취임한 팻 겔싱어 CEO는 반도체 제조 사업을 확대하는 새로운 전략인 IDM 2.0을 내놓고 반도체 제조 분야에서 반전을 모색하고 있다. 지난 2월에는 AI 시대를 대비한 지속 가능한 파운드리 비즈니스로 인텔 파운드리(Intel Foundry)를 출범시켜 2030년까지 세계 2위 파운드리가 되겠다는 계획을 발표했다. 이런 가운데 인텔은 2024년 후반 채택 예정인 18A(1.8nm 상당) 후속으로 1.4nm에 해당하는 14A를 내놓고 있다.

인텔 14A를 비롯한 첨단 반도체 제조에 필수적인 장비는 바로 ASML이 유일한 공급업체인 고NA EUV 리소그래피다. EUV 리소그래피는 칩 위에 있는 작은 배선 패턴을 EUV 광원을 사용해 형성하는 장비로 고NA EUV 리소그래피는 2nm 프로세스 노드 이하 미세화에 필수적이라고 한다. 인텔은 2018년 ASML에 고NA EUV 리소그래피를 주문했고 지난해 12월 기존 EUV 리소그래피를 뛰어넘는 트윈스캔(TWINSCAN) EXE:5000 High NA EUV가 출하됐다.

트윈스캔 EXE:5000 High NA EUV는 250개 이상 나무 박스에 실려 운송됐고 화물기가 시애틀에 도착한 뒤 트럭으로 오레곤주 연구개발 거점으로 옮겨져 인텔에 의해 조립작업이 진행됐다.

이어 인텔은 4월 18일 세계에서 처음으로 상용 고NA EUV 리소그래피인 트윈스캔 EXE:5000 High NA EUV의 조립을 완료했다고 보고했다. 트윈스캔 EXE:5000 High NA EUV는 광을 모으고 집속하는 능력 척도인 NA가 기존 0.33에서 0.55로 향상되어 동일 형상에 대해 더 높은 이미징 대비를 제공할 수 있고 노광당 광량이 적어진다고 한다.

이를 통해 이 제품은 기존 EUV 리소그래피보다 1.7배 작은 형상을 출력할 수 있고 1회 노광으로 트랜지스터 밀도 최대 2.9배 향상을 실현할 수 있다고 한다. 인텔은 향후 로드맵 프로세스를 대비해 트윈스캔 EXE:5000 High NA EUV 최적화를 진행 중이라고 설명했다.

인텔 측 관계자는 고NA EUV가 추가되면서 인텔은 업계에서 가장 완비된 리소그래피 툴박스를 갖추게 됐다며 이를 통해 자사는 인텔 18A를 넘어서는 미래 프로세스 능력을 추진할 수 있게 됐다고 말했다.

인텔은 트윈스캔 EXE:5000 High NA EUV 뿐 아니라 시간당 200장 이상 웨이퍼를 생산할 수 있는 차세대 트윈스캔 EXE:5200B 도입도 계획하고 있다. 한편 ASML은 4월 17일 고NA EUV 리소그래피를 인텔 외에 2번째 고객에게 출하했다고 발표했지만 이 고객이 어느 제조업체인지는 공개하지 않았다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.