238층 4D NAND 플래시 메모리 양산 시작했다

SK하이닉스가 세계 첫 238층 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND 플래시 메모리 양산을 시작했다고 발표했다.

SK하이닉스가 양산 개시를 발표한 건 2022년 8월 개발을 발표한 세계 첫 238층 512Gb TDL 4D NAND 플래시 메모리. 개발에 성공한 238층 NAND는 세계 최고층이면서 전 세계에서 가장 작은 크기를 실현했다는 점에서 중요한 의미를 지닌다는 설명이다.

이번에 개발에 성공한 238층 NAND는 데이터 전송 속도 2.4Gb/sec로 이는 이전 세대인 176층 NAND에 비해 50%나 빨라진 것이다. 또 칩이 데이터를 읽을 때 사용하는 에너지 사용량은 21% 줄었고 제조 효율도 34% 향상됐다.

NAND 플래시 메모리는 한 셀에 정보를 몇 개 저장하는지에 따라 1개는 SLC(Single Level Cell), 2개는 MLC(Multi Level Cell), 3개는 TLC(Triple Level Cell), 4개는 QLC(Quadruple Level Cell), 5개는 PLC(Penta Level Cell) 등 규격이 나뉘어져 있어 한 셀에 저장할 수 있는 정보가 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있게 된다.

SK하이닉스는 238층 NAND 기술을 채택한 스마트폰이나 PC 스토리지 기기로 사용되는 클라이언트용 SSD 제품을 개발해 5월 양산을 시작했다고 발표했다. 더구나 238층 NAND와 이전 세대 176층 NAND 모두에서 가격, 성능, 품질에 있어 세계적 수준의 경쟁력을 확보하고 있다는 점을 감안하면 이런 제품이 하반기 수익을 견인할 것으로 기대한다고 밝혔다.

SK하이닉스는 또 글로벌 스마트폰 제조사와 제품 호환성 테스트를 마친 뒤 스마트폰용 238층 NAND 제품 공급을 시작해 PCIe 5.0 대응 SSD나 서버용 SSD 등 각종 제품군에서도 이 기술을 채택해나갈 예정이다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.