SK하이닉스가 11월 21일 세계에서 처음으로 321층 1Tb TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 메모리 양산을 시작했다고 발표했다.
SK하이닉스는 2023년 6월 238층 낸드 양산을 시작했는데 이번 321층 낸드는 이 제품과 비교해 데이터 전송 속도가 12%, 읽기 성능이 13%, 데이터 읽기 시 전력 효율이 10% 이상 향상됐다고 한다.
SK하이닉스는 이번 발표에 대해 적층 기술에서의 기술적 돌파구를 찾아 300층 이상 낸드를 양산하는 세계 첫 공급업체가 됐다고 밝혔다. 300층 이상 적층은 SK하이닉스가 메모리 셀 스택을 3개로 하는 3플러그 공정 기술 도입에 성공해 실현됐다고 한다. SK하이닉스는 이 기술에 대해 뛰어난 생산 효율로 알려진 이 공정은 3회 플러그 공정 종료 후 최적화된 후속 공정을 거쳐 플러그 3개를 전기적으로 연결한다며 이 공정에서 반도체 휨을 방지하는 저응력 소재를 개발하고 플러그 간 정렬을 자동 보정하는 기술을 도입했다고 설명했다.
셀 레이어 수와 수평 밀도를 늘려 비트 수를 대폭 증가시키는 기술인 MSC(Multi-Site Cell)를 통해 SK하이닉스는 낸드플래시 메모리 대용량화, 고속화, 신뢰성 향상에 성공했다고 한다.
또 SK하이닉스에 따르면 기존 238층 낸드와 같은 개발 플랫폼을 채택하고 공정 전환에 따른 영향을 최소화한 결과 생산성을 기존 대비 59% 향상시키는 데 성공했다고 한다.
이 낸드에 대해 SK하이닉스는 저전력과 고성능이 요구되는 초기 AI 애플리케이션에 이번 321층 낸드를 제공해 제품 용도를 착실히 확대해 나갈 것이라고 밝혔다. 또 SK하이닉스 측은 SK하이닉스는 HBM이 주도하는 DRAM 사업에 더해 초고성능 낸드 분야에서 완벽한 포트폴리오를 추가해 풀스택 AI 메모리 프로바이더로 나아가는 궤도에 올랐다며 AI 데이터센터와 온디바이스 AI용 SSD로 대표되는 AI 스토리지 시장을 선도하는 데 한 걸음 더 가까워졌음을 강조했다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.