SK하이닉스가 세계에서 처음으로 12층 구조 HBM3E 제품을 대량 생산하기 시작했다고 밝혔다. 12층 구조로 인해 용량은 HBM 그러니까 고대역폭 메모리 중 최대인 36GB에 달하며 1년 이내에 고객에게 제품을 공급할 전망이다.
SK하이닉스는 2013년 세계에서 처음으로 HBM을 출시한 이후 1세대 제품(HBM1)부터 5세대 제품(HBM3E)까지 전 라인업 개발 및 공급을 진행하는 유일한 기업이다.
기존 HBM 최대 용량은 3GB DRAM 칩을 8층으로 쌓아 24GB였지만 SK하이닉스는 동일 두께로 12층을 쌓아 용량을 50% 끌어올렸다. 이 두께를 유지하기 위해 DRAM 칩은 기존보다 40% 더 얇아졌으며 전송 속도는 최대 9.6Gbps에 달한다.
SK하이닉스는 얇은 칩을 더 많이 쌓는 데 따른 구조적 문제를 해결하기 위해 칩 사이에 액체 보호제를 주입해 경화시키는 고급 MR-MUF 기술을 활용했다. 이를 통해 4세대 제품(HBM3)과 비교해 방열 성능이 10% 향상됐으며 반면 제어 능력이 강화되어 제품 안정성과 신뢰성을 높였다.
SK하이닉스 측은 AI 시대 과제를 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 꾸준히 준비하겠다고 말했다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.