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美 제재 화웨이, HBM 칩 공동 개발 중?

화웨이는 미국 기술 제재를 받고 있는 가운데 AI 연구 등에 필요한 고대역폭 메모리(HBM) 개발에서 기술적 자립을 목표로 하고 있다. 이런 화웨이가 우한신신반도체(Wuhan Xinxin)와 공동으로 HBM 개발을 진행하고 있다는 사실이 밝혀졌다.

화웨이는 미국으로부터 엄격한 규제를 받고 있으며 2023년 8월 7nm 칩을 탑재한 5G 스마트폰인 메이트 60 프로를 발표한 것으로 인해 미국 정부 감시가 더 강화됐다.

이번에 화웨이가 우한신신반도체와 함께 착수한 건 높은 대역폭을 가진 HBM이라 불리는 DRAM. 화웨이가 HBM 생산을 목표로 하고 있다는 사실은 이전에도 보도된 바 있다.

HBM은 기존 DDR 메모리와 비교해 높은 대역폭과 낮은 지연 시간이 특징이며 그 중에서도 신경망 학습과 추론에 필요한 방대한 계산을 수행하는 데 적합하다고 알려져 있다. 따라서 최근 AI 개발로 인해 HBM 수요가 증가하고 있다.

이 개발 프로젝트에는 장쑤창장전자기술과 통부미전자라는 중국 IC 패키징 기업도 참여하고 있으며 GPU와 HBM을 단일 패키지에 적층하는 패키징 기술(Chip on Wafer on Substrate)을 제공한다고 한다.

현재 중국 HBM 칩 개발은 초기 단계에 있지만 반도체와 AI 기술에 관한 미국 측 제한이 계속되는 가운데 중국 기술 진보는 전 세계 분석가와 업계 관계자로부터 주목받고 있다. 이런 상황은 기술 패권을 둘러싼 미국과 중국간 긴장 관계를 반영하고 있으며 반도체 산업에서의 국제적 경쟁 심화를 보여주고 있다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.

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